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直流屏变换器技术现状及发展历程

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2019-05-06 11:18:00 来源:万正电源集团有限公司

一、市场对于直流屏的性能要求越来越高:


1、分布式直流屏应用的普及推广以及电池供电移动式电子设备的飞速发展,其直流屏系统需用的DC/DC电源模块越来越多;


2、对其性能要求越来越高:除去常规电性能指标以外,对其体积要求越来越小,也就是对其功率密度的要求越来越高,对转换效率要求也越来越高,也即发热越来越少。这样其平均无故障工作时间才越来越长,可靠性越来越好;


3、因此如何开发设计出更高功率密度、更高转换效率、更低成本更高性能的DC/DC转换器始终是近二十年来电力电子技术工程师追求的目标。例如:二十年前Lucent公司开发出第一个半砖DC/DC时,其输出功率才30W,效率只有78%。而如今半砖的DC/DC输出功率已达到300W,转换效率高达93.5%。


二、具体的直流屏内DC/DC变换器体积的要求:


从八十年代末起,工程师们为了缩小DC/DC变换器的体积,提高功率密度,首先从大幅度提高开关电源的工作频率做起,但这种努力结果是大幅度缩小了体积,却降低了效率。发热增多,体积缩小,难过高温关。因为当时MOSFET的开关速度还不够快,大幅提高频率使MOSFET的开关损耗驱动损耗大幅度增加。工程师们开始研究各种避开开关损耗的软开关技术。虽然技术模式百花齐放,然而从工程实用角度仅有两项是开发成功且一直延续到现在。一项是VICOR公司的有源箝位ZVS软开关技术;另一项就是九十年代初诞生的全桥移相ZVS软开关技术。


三、直流屏内DC/DC变换器的发展历程:


有源箝位技术历经三代,且都申报了专利。第一代系美国VICOR公司的有源箝位ZVS技术,其专利已经于2002年2月到期。VICOR公司利用该技术,配合磁元件,将DC/DC的工作频率提高到1MHZ,功率密度接近200W/in3,然而其转换效率却始终没有超过90%,主要原因在于MOSFET的损耗不仅有开关损耗,还有导通损耗和驱动损耗。特别是驱动损耗随工作频率的上升也大幅度增加,而且因1MHZ频率之下不易采用同步整流技术,其效率是无法再提高的。因此,其转换效率始终没有突破90%大关。


为了降低第一代有源箝位技术的成本,IPD公司申报了第二代有源箝位技术专利。它采用P沟MOSFET在变压器二次侧用于forward电路拓朴的有源箝位。这使产品成本减低很多。但这种方法形成的MOSFET的零电压开关(ZVS)边界条件较窄,在全工作条件范围内效率的提升不如第一代有源箝位技术,而且PMOS工作频率也不理想。


为了让磁能在磁芯复位时不白白消耗掉,一位美籍华人工程师于2001年申请了第三代有源箝位技术专利,并获准。其特点是在第二代有源箝位的基础上将磁芯复位时释放出的能量转送至负载。所以实现了更高的转换效率。它共有三个电路方案:其中一个方案可以采用N沟MOSFET。因而工作频率较高,采用该技术可以将ZVS软开关、同步整流技术、磁能转换都结合在一起,因而它实现了高达92%的效率及250W/in3以上的功率密度。(即四分之一砖DC/DC做到250W功率输出及92%以上的转换效率)


我们给出三代产品的等效电路,读者可从其细节品味各自的特色。有关有源箝位技术近年论文论述颇多,此处不多赘述。


全桥移相ZVS软开关技术,从90年代中期风靡大功率及中功率开关电源领域。该电路拓朴及控制技术在MOSFET的开关速度还不太理想时,对DC/DC变换器效率的提升起了很大作用。但是工程师们为此付出的代价也不小:


第一个代价是要增加一个谐振电感。它的体积比主变压器小不了多少(约1/2左右),它也存在损耗,此损耗比输出滤波电感损耗也小不了太多。


第二个代价是丢失了8-10%的占空比,这种占空比的丢失将造成二次侧的整流损耗。所以弄得不好,反而有得不偿失的感觉。


第三,谐振元件的参数需经过调试,能适应工业生产用的准确值的选定是要花费较多的时间,试验成本较高。


此外,因同步整流给DC/DC效率的提高带来实惠颇多,而全桥移相对二次侧同步整流的控制效果并不十分理想。例如:


第一代PWM ZVS全桥移相控制器,UC3875及UCC3895只控制初级侧。若要提供准确的控制同步整流的信号需另加逻辑电路。


第二代全桥移相PWM控制器如LTC1922-1、LTC3722-1/-2,虽然增加了对二次侧同步整流的控制信号,在做好ZVS软开关的同时做好二次侧的同步整流。但仍旧不能十分有效地控制好二次侧的ZVS ZCS同步整流,而这是提高DC/DC变换器效率最有效的措施。UCC3722-1/-2的另一个重大改进是减小谐振电感的感量,这不仅缩小了谐振电感的体积,而且降低了损耗,占空比的丢失也减小了许多.这里我们给出LTC3722加上同步整流的控制电路,由业界工程师们自己去分析对照。


在DC/DC业界,应该说,软开关技术的开发、试验、直到用于工程实践,费力不小,但收效却不是太大。花在这方面的精力和资金还真不如半导体业界对MOSFET技术的改进。经过几代MOSFET设计工业技术的进步,从第一代到第八代。光刻工艺从5μM进步到0.5μM。完美晶格的外延层使我们将材料所选择的电阻率大幅下降。加上进一步减薄的晶片。优秀的芯片粘结焊接技术,使当今的MOSFET (例如80V40A)导通电阻降至5mΩ以下,开关时间已小于20ns,栅电荷仅20nc,而且是在逻辑电平下驱动即可。在这样的条件下,同步整流技术获得了极好的效果,几乎使DC/DC的效率提高了将近十个百分点。效率指标已经普遍进入了>90%的范围。


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